TGVI 高(gāo)速T/ROSA OE
TGVI 高(gāo)速 T/ROSA OE産品基于深光(guāng)谷自(zì)研 TGV 光→↕§≤(guāng)電(diàn)interposer芯片,通(tōng)過激光(φ₩guāng)誘導、深矽刻蝕技(jì)術(shù),重布線(R♣♣"DL)和(hé)微(wēi)凸點工(gōng)藝實現(≈÷"™xiàn)基于玻璃基闆的(de)光(guāng)電(diàn)芯片封裝互連和(hé§£)光(guāng)電(diàn)信号轉換;自(zì)研TGV interposer芯≠•片可(kě)實現(xiàn)110GHz以上(shàng)∞₩布線帶寬,顯著提升了(le)信号傳輸效率和(hé)密度;匹配市(shì)場(chǎng)→₩ §主流矽光(guāng)調制(zhì)芯片和(hé)電(dià₩βεγn)驅動芯片,實現(xiàn)4/8通(tōng)道(d&&×₩ào)标準化(huà)方案集成,同時(shí)兼容主流矽光(guāng)芯片與電(diànγ)芯片的(de)管腳定義,實現(xiàn)光(guāng)電(diàn)混÷ 合封裝的(de)高(gāo)度集成化(huà);片上↕∑✘♦(shàng)可(kě)集成激光(guāng)直寫波導與interposer內®(nèi)開(kāi)槽結構,可(kě)支持與FAU、MT插芯☆↕←₽、MCF等低(dī)損耗耦合,實現(xiàn)高(gāo)密度的(de)光(gu•∞¶§āng)路(lù)扇入扇出。
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