通(tōng)過激光(guāng)誘導、深矽刻蝕實現(xiàn)基于玻璃基的(de)信号轉接，利"∞±用(yòng)重布線層（RDL）和(hé)微(wēi)凸點∑≤Ω工(gōng)藝，實現(xiàn)110GHz以上(shàng)布線帶寬，顯著提升了(le)信 ÷号傳輸效率和(hé)密度；匹配主流八通(tōng)道(dào)矽光(guāng)調制(zhì) "芯片和(hé)電(diàn)驅動芯片，實現(xiàn)8通" ₽(tōng)道(dào)标準化(huà)方案，同時(shí)§$♠兼容主流矽光(guāng)芯片與電(diàn)芯片的(de)管腳定義，實現(xiàλεn)光(guāng)電(diàn)混合封裝的(de)高(gāo)度集成化(huà)；片₽€×上(shàng)可(kě)集成激光(guāng)直寫光( ↓® guāng)波導與interposer內(nèi)開(kāi)槽，實±≈≤現(xiàn)低(dī)損耗高(gāo)密度的(de)光(guāng)路(lù)扇入扇>‍​出。