TGVI 高(gāo)速 T/ROSA OE産品基于深光($€±guāng)谷自(zì)研 TGV 光(guāng)電(diàn)♥§interposer芯片，通(tōng)過激光(guāng)誘導、深矽刻蝕技(₹§&®jì)術(shù)，重布線（RDL）和(hé)微(wēi)凸點工(gōng)藝實現(xià →n)基于玻璃基闆的(de)光(guāng)電(diàn)芯片封裝互連和(hé)光δ>​β(guāng)電(diàn)信号轉換；自(zì)研TGV interposer芯片可(k¶σ§✔ě)實現(xiàn)110GHz以上(shàng)布線帶寬‍​​，顯著提升了(le)信号傳輸效率和(hé)密度；匹配市(shì)場(c≠∏→®hǎng)主流矽光(guāng)調制(zhì)芯片和(hé)電(diàn)驅動芯片，實現(x✔¶iàn)4/8通(tōng)道(dào)标準化(huà)方案集成，同時(shí)兼容主流矽光(gu×®āng)芯片與電(diàn)芯片的(de)管腳定義，實現(xiàn)光(guāng)電(dα÷iàn)混合封裝的(de)高(gāo)度集成化(huà)；片上(sh¥"→àng)可(kě)集成激光(guāng)直寫波導與interposer內(nèi)'§&開(kāi)槽結構，可(kě)支持與FAU、MT插芯、MCF等低(dī)損耗耦合，實εΩδ現(xiàn)高(gāo)密度的(de)光(guāng)路(lù)扇入扇出。