通(tōng)過激光(guāng)誘導、深矽刻蝕實現(xiàn)基于玻璃基的(de)信号轉接，利用✘¥ (yòng)重布線層（RDL）和(hé)微(wēi)凸點工(gōng)藝，實現(xiàn)&≥∑✔110GHz以上(shàng)布線帶寬，顯著提升了(le)信号傳輸效率和(hé)密度；匹配主‌✘流四通(tōng)道(dào)矽光(guāng)調制(zhì)芯片、電(diàn)驅動芯片和(±✔σhé)跨阻放(fàng)大(dà)器(qì)芯片，實現(xià‌>n)4通(tōng)道(dào)标準化(huà)方案，同時(shí)兼容主流矽光(guā$ ∏ng)芯片與電(diàn)芯片的(de)管腳定義，實現(xiàn)>≈光(guāng)電(diàn)混合封裝的(de)高(gāo)度集<λ成化(huà)；片上(shàng)可(kě)集成激光(guāng)直寫±→¶↑光(guāng)波導與interposer內(nèi)開(kāi)槽，實現Ω₹≠(xiàn)低(dī)損耗高(gāo)密度的(de)光(guāng)路(lù)扇入扇出。