2025年(nián)6月(yuè)，深圳 —— 深光(guāng)谷科(kē)技(jì)（Shenzhen Photonics Vall₩≤Ωφey Technologies）今日(rì)正式推出玻璃基雙四芯3D波導芯片，專為(wèi)數(shù)據中心800G/1.6T多(duō)芯光(guāng)模塊以及CPO光(guāng)引擎設計(jì)，以典型值0.4-0.5dB的(de)纖到(dào)纖超低(dī)損耗優異性能(nén© g)，支撐下(xià)一(yī)代高(gāo)密度光(guāng)互連應φ 用(yòng)。該産品通(tōng)過兩顆四芯波導芯δ♥λ<片相(xiàng)鄰加工(gōng)，實現(xiàn)了(le)8通(tōng)道(dào)250 µm間(jiān)距（pitch）标準陣列布局，完美(měi)↑ 對(duì)接主流8通(tōng)道(dào)矽光(guāng)光(guāng)模塊的(de)發射/接收接口需求，成為(wèi)光(guāng)互連架構升級的(de)重要(♦​yào)支撐器(qì)件(jiàn)。

雙四芯3D波導芯片結構示意圖。

雙四芯3D波導芯片bar條加工(gōng)實物(wù)圖和(hé)端面δ∞&λ截面圖。

        随著(zhe)人(rén)工(gōng)智能(néng)和(hé)σ§大(dà)模型訓練驅動下(xià)的(de)數(shù)據中心帶寬需求持β©"續增長(cháng)，光(guāng)模塊容量正迅速從(cóng)400G向800G、1.6T乃至"‍π3.2T演進。傳統并行(xíng)光(guāng)纖方案（如(rú)多♦ β(duō)根單模光(guāng)纖+ MPO接口）在帶來(lái)複雜(zá)連接→ ≠的(de)同時(shí)，也(yě)顯著提升了(le)布線難度、成本和(hé)功耗©>≠瓶頸。多(duō)芯光(guāng)纖方案憑借更高(gāo)通(t♥∏σōng)道(dào)密度與更簡潔的(de)布線結構，正成為(wèi)下(xià)♣∞α一(yī)代數(shù)據中心架構的(de)關鍵趨勢。

深光(guāng)谷科(kē)技(jì)此次推出的(♣™de)雙四芯3D波導芯片具備以下(xià)核心優勢：

· 精準結構匹配：通(tōng)過雙芯片集成實現(xiàn)1×8通(tōng)道(dào)排列，250 µm标準間(jiān)距陣列，與高π©♣©(gāo)速矽光(guāng)模塊或CPO光(guāng)引擎無縫對'≠↔(duì)接；

· 面向800G/1.6T設計(jì)：完全貼合當前主流8×100G或8×200G模塊通(tōng)道(dào)結構，适用(yòng)于DRδ♠>↓4/DR8等多(duō)種模塊标準；

· 優異的(de)插損性能(néng)：基于自(zì)研飛(fēi)秒(miǎo)激光(guāng)α 直寫技(jì)術(shù)，波導通(tōng)道(dào)損耗低(dī)于0.6 dB（典型值0.4-0.5dB），有(yǒu)效保障長(cháng)距離(lí)、高(gāo)帶寬傳輸質量；

除此之外(wài)，深光(guāng)谷科(kē)技(jì)✔≤$此前已發布基于自(zì)研飛(fēi)秒(miǎo)激光(guāng)直寫 ♥<技(jì)術(shù)的(de)4芯光(guāng)波導芯片，并已通(tōng)過多(duō)輪客戶評估測試及量産試産，目±®→&前已構建了(le)面向數(shù)據中心應用(yòng)的(de)完整的(de)多(duō)芯波導✘← ≠芯片産品，以适應不(bù)同光(guāng)模塊架構和(hé)光(guāng)纖連接需求：

         深光(guāng)谷科(kē)技(jì)持續推動3D光(guāng)波導與TGV光(guāng)電(♥ diàn)封裝核心技(jì)術(shù)的(de)産業(yè)化(huà)， ® →賦能(néng)AI算(suàn)力基礎設施與數(shù)據中心互連升級。此次λ 雙四芯波導芯片的(de)發布，标志(zhì)著(zhe)多(duō)芯互連在結構設計(jì)&•φπ與工(gōng)藝實現(xiàn)上(shàng)的(de)又(yòu)一(yī)重大(dà)≈∑突破。

        目前，該産品已完成中試驗‍₩↑證并開(kāi)啓小(xiǎo)批量交付，現(xiàn)正向重點合→δ♥☆作(zuò)客戶開(kāi)放(fàng)樣品測試與定制(zhì)合作(zuò)，歡↑♠迎有(yǒu)合作(zuò)意向的(de)産業(yè)夥伴洽談對₹₩₹δ(duì)接。